砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

导电型SiC复合衬底 厚度350μm P级 

可定制尺寸

产品摘要

导电型 SiC on Si 复合衬底具有较高的导电性，与半绝缘型 SiC 相比,导电型 SiC on Si 具有较低的电阻率,通常在 1-100 Ω·cm 范围内。这种较高的导电性有利于制造集成电路中的互连布线和电极。以及优异的热导性，与常规Si衬底相比,SiC 层具有更高的热导率,可以更好地散发器件产生的热量。有助于提高器件的可靠性和工作稳定性。导电型 SiC on Si 复合衬底凭借其出色的电学、热学、机械等性能,是一种广泛应用于功率电子、微波、光电子和传感器等领域的先进衬底材料。

产品展示

产品参数

产品特性

较高的导电性:与半绝缘型 SiC 相比,导电型 SiC on Si 具有较低的电阻率,通常在 1-100 Ω·cm 范围内。这种较高的导电性有利于制造集成电路中的互连布线和电极。

优异的热导性:与常规Si衬底相比,SiC 层具有更高的热导率,可以更好地散发器件产生的热量。有助于提高器件的可靠性和工作稳定性。

良好的晶体质量:采用适当的生长工艺,可在Si衬底上生长出高质量的SiC外延层。较低的晶体缺陷密度有利于制造高性能的电子器件。

 易接入标准CMOS工艺:SiC on Si 复合结构与标准硅CMOS工艺兼容性强。可以与现有的硅集成电路工艺无缝衔接,降低制造成本。

良好的机械性能:SiC 材料的硬度和强度均优于单纯的硅材料。有利于提高器件的抗震性和可靠性。

抗辐射性能优异:SiC 材料具有良好的抗辐射特性,适用于需要耐辐射环境的应用场合。如航天、国防等领域对抗辐射性能有严格要求的应用。

产品应用

集成电路:SiC on Si 复合衬底与标准硅CMOS工艺兼容,可用于制造集成电路。有利于制造高功率、高频、高可靠性的模拟/数字集成电路。应用于功率管理、无线通信、传感器等集成电路领域。

光电子器件:SiC 具有直接带隙特性,可用于制造发光二极管、光探测器等光电子器件。主要应用于太阳能电池、指示灯、光通信等领域。

机械和高温传感器:SiC 材料在机械强度、耐高温、抗辐射等方面优势明显。非常适用于制造用于恶劣环境的机械、压力、温度等传感器。应用于航天航空、汽车、工业控制等领域。