砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

半绝缘型SiC复合衬底晶圆 Semi型 P型 N型 单双面抛光

可定制尺寸

产品摘要

半绝缘型 SiC (Semi-Insulating Silicon Carbide) 复合衬底晶圆是一种新型的功率电子和射频微波器件用衬底材料。半绝缘型 SiC 复合衬底在功率电子器件、高频微波器件、光电子器件等领域有广泛应用。其中尤其适用于制造高性能的微波集成电路和功率放大器。相比于传统的硅衬底,半绝缘型 SiC 复合衬底具有更高的绝缘性、热导性和机械强度,为新一代高功率、高频电子器件的发展提供了理想的材料基础。

产品展示

产品参数

产品特性

高电阻率:Semi-Insulating SiC 晶圆的电阻率可达到 10^8-10^10 Ω·cm 量级。这种极高的电阻率使其能够有效隔离电子器件之间的相互干扰。

低介电损耗:Semi-Insulating SiC 晶圆具有极低的介电损耗因子,通常小于 10^-4。这有利于降低器件在高频工作时的能量损耗。

优异的热导性:SiC 材料具有较高的热导率,可有效传导器件产生的热量。有助于改善器件的热管理性能,提高工作稳定性。 

机械强度高:Semi-Insulating SiC 晶圆具有很高的硬度和抗弯曲强度。能够承受较大的机械应力,适用于制造高可靠性的电子器件。

化学稳定性好:SiC 材料在高温、化学腐蚀环境下具有优异的化学稳定性。有利于提高器件在恶劣环境下的使用寿命。

与Si 匹配性好:Semi-Insulating SiC 晶圆的晶格常数和热膨胀系数与硅相近。有助于简化器件制造工艺,降低制造成本。

产品应用

射频和微波器件:由于 Semi-Insulating SiC 拥有低介电损耗、高绝缘性等特点,非常适合制造射频和微波集成电路。可应用于移动通信基站、雷达系统、卫星通信等高频微波领域。

功率电子器件:Semi-Insulating SiC 具有优异的热导性和高温特性,有利于制造功率半导体器件。可用于制造功率放大器、开关电源、电力变换等高功率电子器件。

光电子器件:Semi-Insulating SiC 具有抗辐射性能,可用于制造在辐射环境下工作的光电探测器件。应用于航天、国防等对抗辐射性能有严格要求的领域。