产品描述
Inp磷化铟晶片 高的电子迁移率 优良的导热性能 宽带隙范围
2英寸 3英寸 4英寸 0.35mm 0.5mm 0.6mm
可定制尺寸
Inp磷化铟晶片摘要
InP（磷化铟）芯片是制造光电二极管、激光器和光电传感器等高性能光电子器件常用的半导体材料。
晶体结构：InP芯片采用立方晶体结构，晶格结构高度有序。
能隙：InP芯片的直接能隙较小，约为1.35eV，是可见光范围内的半导体材料。
折射率：InP晶片的折射率随光的波长而变化，在可见光范围内约为3.17。
热导率：InP具有较高的热导率，约为0.74W/(cm·K)。
电子迁移率：InP芯片具有较高的电子迁移率，约为5000cm^2/(V·s)。
芯片尺寸：InP芯片通常以圆形芯片形式提供，直径范围从几毫米到几英寸。
表面特性：InP芯片的表面通常经过特殊处理，以提高其平整度和清洁度。
Inp磷化铟晶片展示
Inp磷化铟晶片参数
Inp磷化铟晶片特性
直接带隙：磷化铟具有直接带隙特性，这使得它非常适合用于光学器件。
宽带隙范围：磷化铟具有很宽的带隙，范围从红外到紫外光谱。
高的电子迁移率：磷化铟具有很高的电子迁移率，这使得它在高频电子学和高速光电子学方面具有优异的性能。
优良的导热性能：磷化铟具有很高的导热系数，能有效的散热。
良好的机械和化学稳定性：磷化铟芯片具有良好的机械和化学稳定性，在不同的环境条件下都能保持稳定性和可靠性。
能带结构可调：磷化铟材料的能带结构可以通过掺杂、合金化技术调控，以满足不同器件的要求。
Inp磷化铟晶片应用
光通讯：InP晶片广泛应用于光通讯领域，用于高速光纤通信系统，用于制作激光器、光调制器、光接收器、光放大器、光纤耦合器等器件。
光电子器件：InP晶片用于制造光电二极管、光电探测器、太阳能电池和光电耦合器等光电子器件。
高速电子器件：InP衬底在高频电子器件领域应用十分广泛，特别是InP晶圆的高电子迁移率晶体管（HEMT）用于制备高频放大器、射频开关和微波集成电路等器件，应用于无线通信、雷达系统和卫星通信等。
集成光器件：InP晶片用于制备光波导、光调制器、光开关和光放大器等集成光器件。
光子学研究：InP晶片在光子学研究中发挥着重要作用。它们用于实验室研究、量子光学、量子信息处理和光量子器件。
除了上述应用外，InP晶片还用于其他领域，例如光学传感，生物医药，光存储和半导体衬底
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