砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

6寸Si on ALN复合衬底 厚度625μm 直径150mm 产品级 

可定制尺寸

产品摘要

Si-AlN 复合晶片是一种新型的半导体复合材料,主要由硅(Si)和氮化铝(AlN)两种材料组成。Si-AlN复合晶片主要应用于功率电子、微波射频、MEMS传感器等领域,是一种性能优异的新型半导体材料。借助其优异的热学、电学和机械性能,可以制造出更加高性能、高可靠性的电子器件。

产品展示

6寸Si on SiC半绝缘型复合衬底

产品特性

高热导率:AlN 层具有较高的热导率,可以有效地将器件产生的热量传导出去。有助于提高器件的工作稳定性和可靠性。

良好的绝缘性:AlN 层具有优异的绝缘性能,可以将Si层与底层基板绝缘隔离。有利于制造高压、高功率等功率电子器件。

优异的机械特性:AlN 层具有较高的硬度和强度,提高了复合晶片的整体机械性能。增强了抗震性和抗应力迁移等可靠性指标。

半绝缘型SiC复合衬底晶圆 6寸

低热膨胀系数:Si和AlN的热膨胀系数相近,可以降低由于热应力导致的器件失效。有利于制造大尺寸、薄片的功率电子器件。

兼容性强:Si-AlN复合晶片可以与标准Si工艺很好地兼容,便于集成制造。有助于降低生产成本,提高制造良率。

6寸导电型SiC复合衬底

产品应用

功率电子器件:Si-AlN 复合晶片具有良好的绝缘性和高热导率,非常适合制造高功率、高频率的功率电子器件。可用于制造功率放大器、开关电源、逆变器等功率电子器件。应用于电力电子、电机驱动、新能源、工业控制等领域。

微波射频器件:Si-AlN 复合晶片具有优异的高频性能和热管理能力,非常适合制造微波功率放大器等器件。可用于制造雷达、通信基站、卫星通信等领域的微波功率器件。

MEMS传感器:Si-AlN 复合晶片兼具良好的机械性能和温度稳定性,非常适合制造MEMS传感器。可用于制造压力传感器、加速度传感器、温度传感器等高性能MEMS传感器。应用于工业控制、汽车电子、医疗诊断等领域。

集成电路:Si-AlN 复合晶片可与标准硅工艺相兼容,便于集成制造。可用于制造高功率、高频率的模拟/数字集成电路,如功率管理芯片、射频集成电路等。

散热基板:Si-AlN 复合晶片具有优异的热导率,可以用作电子器件的散热基板。有助于提高电子设备的可靠性和功率密度。应用于功率器件、LED照明、计算机等电子产品中。