砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

6寸Si on SiC半绝缘型复合衬底 Semi型 厚度0.35mm/0.5mm

可定制尺寸

产品摘要

半绝缘型 SiC (Semi-Insulating Silicon Carbide) 复合衬底晶圆是一种新型的功率电子和射频微波器件用衬底材料。半绝缘型 SiC 复合衬底在功率电子器件、高频微波器件、光电子器件等领域有广泛应用。其中尤其适用于制造高性能的微波集成电路和功率放大器。相比于传统的硅衬底,半绝缘型 SiC 复合衬底具有更高的绝缘性、热导性和机械强度,为新一代高功率、高频电子器件的发展提供了理想的材料基础。

产品展示

产品特性

机械强度高:Semi-Insulating SiC 晶圆具有很高的硬度和抗弯曲强度。能够承受较大的机械应力,适用于制造高可靠性的电子器件。

化学稳定性好:SiC 材料在高温、化学腐蚀环境下具有优异的化学稳定性。有利于提高器件在恶劣环境下的使用寿命。

与Si 匹配性好:Semi-Insulating SiC 晶圆的晶格常数和热膨胀系数与硅相近。有助于简化器件制造工艺,降低制造成本

高电阻率:Semi-Insulating SiC 晶圆的电阻率可达到 10^8-10^10 Ω·cm 量级。这种极高的电阻率使其能够有效隔离电子器件之间的相互干扰。

低介电损耗:Semi-Insulating SiC 晶圆具有极低的介电损耗因子,通常小于 10^-4。这有利于降低器件在高频工作时的能量损耗。

优异的热导性:SiC 材料具有较高的热导率,可有效传导器件产生的热量。有助于改善器件的热管理性能,提高工作稳定性。

产品应用

高温电子设备:Semi-Insulating SiC 在高温工作环境下仍能保持优异的绝缘性能。非常适用于制造耐高温的电子控制系统,如航空航天、汽车等领域。

集成电路互连:Semi-Insulating SiC 具有出色的热管理性能,有利于在集成电路中提高互连的可靠性。可用于制造高密度、高速的集成电路互连结构。

微机电系统(MEMS):Semi-Insulating SiC 优异的机械性能和化学稳定性,适合制造MEMS传感器和执行器。如高温、高压环境下工作的MEMS压力传感器等。