砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

6寸S0I衬底 直径150mm P级 R级 抗辐射 

可定制尺寸

产品摘要

SOI衬底由三层组成 - 顶层薄膜硅层、中间绝缘层(通常为二氧化硅)、底层硅基底。采用6英寸(约150 mm)直径的硅基底。与4英寸和8英寸衬底相比,6英寸衬底是一个较为常见和经济的尺寸选择。顶层硅层厚度通常为50-200 nm,可实现器件的高度集成。具有良好的晶体质量和低缺陷密度。绝缘层厚度通常为100-400 nm,可有效隔离上下硅层。提高了器件的隔离性能,降低了寄生电容和电流泄漏。6英寸SOI衬底在集成度、隔离性、热管理和抗辐射等方面具有优势,广泛应用于高性能MOSFET、微波器件、射频IC以及辐射环境下的电子系统等领域。

产品展示

产品参数 

以上为6英寸SOI衬底的典型参数范围,实际参数会因应用需求和制造工艺而有所差异。

产品特性

电学特性:顶层硅层具有高载流子迁移率,有利于制造高速电路。绝缘层的存在可以减小漏电流,提高器件开关特性。

热学特性:绝缘层的低热导率限制了热量散发,有利于集成电路的热管理。有助于提高器件工作时的可靠性和稳定性。

抗辐射特性:SOI结构可有效阻隔来自基底的电离辐射,提高抗辐射能力。适用于航空航天、国防等对抗辐射要求较高的领域。

 产品应用

高性能MOSFET和集成电路:SOI结构可提高MOSFET的开关特性和集成度。应用于高速数字集成电路、模拟/射频集成电路等领域。

功率电子器件:SOI结构可提高功率器件的耐压、开关速度和热管理能力。应用于电源管理IC、电机驱动IC、电力电子变换器等。

微波和毫米波器件:SOI衬底的高抗辐射性和低介电损耗,适用于高频微波/毫米波IC设计。应用于雷达、卫星通信、5G基站等微波毫米波系统。

传感器和MEMS:SOI结构便于实现高集成度的微传感器和MEMS器件。应用于压力传感器、惯性传感器、微流控系统等领域。

辐射环境电子系统:SOI结构的强抗辐射性,适用于航空航天、军事等辐射环境下的电子系统。应用于卫星、航天器、核电站等对抗辐射有严格要求的场合。

功率管理和电源转换:SOI器件可承受更高的工作电压和温度,适用于电力电子变换电路。应用于开关电源、电池管理、电机驱动等功率管理领域。

光电子器件集成:SOI衬底可与光电子器件异构集成,实现光电融合。应用于光通信、光互连、光计算等光电子集成电路。