砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

InAs砷化铟单晶衬底 N/P型半导体晶片 2寸—4寸 厚度300-800um 

可定制尺寸

产品摘要

Indium InAs 或单砷化铟是由铟和砷组成的半导体。外观为灰色立方晶体，熔点 942°C。 砷化铟用于构建波长范围为 1-3.8um 的红外探测器。探测器通常是光伏光电二极管。低温冷却检测器的噪声较低，但 InAs 检测器也可用于室温下的高功率应用。砷化铟也用于制造二极管激光器。砷化铟类似于砷化镓，是一种直接带隙材料。砷化铟有时与磷化铟一起使用。与砷化镓形成砷铟的合金 - 一种带隙取决于 In/Ga 比的材料。这种方法主要类似于氮化铟与氮化镓的合金化生产氮化铟。砷化铟以其高电子迁移率和窄带隙而闻名。它被广泛用作太赫兹辐射源，因为它是一种强大的浅琥珀色发射器。

产品展示

产品参数

产品特性

具有高电子迁移率和迁移率 （μe/μh=70），是霍尔器件的理想材料。

MBE可以用GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料生长。

液体密封法（CZ），保证物料纯度可达99.9999%（6N）。

所有基材都经过精确抛光，并充满保护气氛，以满足 Epi-Ready 的要求。

晶体方向选择：其他晶体方向可用，例如 （110）。

光学测量技术，如椭偏仪，确保每个基材上的表面干净。

产品应用

红外光电子器件：砷化铟具有优异的红外光吸收特性，常用于制造红外探测器、成像器和激光器。
高频电子器件：由于其高电子迁移率，砷化铟广泛应用于高频和高速电子器件，如FET（场效应晶体管）和HEMT（高电子迁移率晶体管）。
量子点和量子井：在量子计算和量子通信领域，砷化铟用于制备量子点和量子井结构。
光通信：砷化铟可用于制造光纤通信中的激光二极管和光放大器，提高信号传输效率。
热电材料：砷化铟在热电转换器和冷却器中用作热电材料，以实现能量回收和温度控制。
传感器：在环境监测和生物医学领域，砷化铟用于制造各种传感器，检测气体和生物分子。