产品描述
Au/Cr/Si 外延晶片 半导体薄膜衬底 优异电导性 可用于微电子器件
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产品摘要
Au/Cr/Si 外延晶片的铬（Cr）作为缓冲层，能够提高金（Au）与硅（Si）之间的附着力。金（Au）具有优良的导电性，适合用于高频和高功率电子器件。Au/Cr的组合可实现低接触电阻，增强器件性能。外延片(EPI)指的是在衬底上生长出的半导体薄膜，薄膜主要由P型，量子阱，N型三个部分构成。现在主流的外延材料是氮化镓(GaN)，衬底材料主要有蓝宝石。硅，碳化在三种，量子阱般为5个通常用的生产工艺为金属有机物气相外延(MOCVD)，这是LED产业的核心部分，需要较高的技术以及较大的资金投入。目前，在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为：P/P++，N/N++，N/N+/N++，N/P/P，P/N/N+。硅外延晶片是用于制造广泛的半导体器件的核心材料，在消费、工业、军事和空间电子学中都有应用。
产品展示
产品参数
产品特性
良好的附着力：铬（Cr）作为缓冲层，能够提高金（Au）与硅（Si）之间的附着力。
优异的电导性：金（Au）具有优良的导电性，适合用于高频和高功率电子器件。
低接触电阻：Au/Cr的组合可实现低接触电阻，增强器件性能。
高温稳定性：该结构在高温下能保持良好的电学性能，适合高温应用。
可调性：通过调节金属层的厚度和组成，可以优化电子和光电性能。
产品应用
微电子器件：用于集成电路（IC）和射频（RF）器件，提供优良的导电路径。
光电探测器：在红外探测和光电转换器件中作为电极材料。
传感器：应用于各种传感器中，特别是在气体传感器和温度传感器中。
MEMS器件：可用于微机电系统（MEMS），如加速度计和压力传感器。
量子点和纳米结构：在量子计算和纳米技术中作为基底材料，支持纳米结构的生长。
售前咨询专员
