砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

DFB外延片衬底 InGaALAs或InGaAsP 速率2.5~25G 用于DFB激光器 

2寸/3寸 可定制尺寸

产品摘要

由 MOCVD 生长而成的外延片主要应用于2.5~25G DFB激光二极管，其有源层由InGaALAs或InGaAsP 四元多量子阱(MQWS)构成，通常，量子阴和势垒被设计为应变补偿以实现器件的高性能，光栅的形成可由客户或 Epihouse完成。我们还可以提供再生长服务。用PL、XRD和ECV测量对一颗生长型DFB芯片进行了分析。典型的结果表明，均匀的波长与标准差小于1nm，高的晶体质量内尖锐的卫星峰，和精确的多层之间的掺杂控制。

产品展示

产品参数

晶圆特性：

栅栏:

25G DFB光栅采用全息光刻、纳米印迹或电子束光刻制造。

再生：

产品特性

单模输出：DFB激光器通过光栅设计，确保激光输出为单一频率模式，具有较好的频谱特性。

波长稳定性：由于反馈机制，DFB激光器的波长非常稳定，不易受到温度和电流变化的影响。

高效率：相较于其他类型的激光器，DFB激光器具有较高的光电转换效率。

低噪声：输出信号噪声低，适合高精度应用。

适应性强：可以通过调整材料的成分和结构，实现不同波长的激光输出。

产品应用

光通信：广泛用于长距离光纤通信系统，作为信号源，保证高带宽和低损耗。

传感器技术：在环境监测、气体检测等领域，用于高灵敏度传感器。

激光雷达：用于激光雷达（LiDAR）系统，在自动驾驶和测绘技术中应用。

光谱学：在气体分析和化学成分检测中，作为激光光源实现高精度测量。

医疗设备：用于激光手术和成像系统，提高诊断和治疗的精度。

消费电子：在光盘驱动器和高速数据存储设备中应用。