砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

2寸 3寸 4寸APD外延片衬底 APD光探测器 用于光纤通信或激光雷达 

可定制尺寸

产品摘要

APD外延片衬底是制造APD的基础材料，通常是通过外延生长技术在衬底上沉积的半导体材料。常用材料包括硅（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等，具备优良的光电性能。APD光探测器是一种特殊类型的光电探测器，利用雪崩光电效应来增强探测信号。当光子入射到APD上时，产生电子—空穴对。这些载流子在电场的作用下加速，可能会导致更多的载流子生成，即发生“雪崩效应”，从而显著放大输出电流。

MOCvD生长的外延晶片是雪崩光电探测二极管应用的重点。吸收层采用背景掺杂<5E14的U-InGaAs材料制备。功能层可以使用InP或InAlAslayer。APD外延片衬底 是制造APD的基础材料，决定了光探测器的性能。APD光探测器 则是一种高灵敏度的光电探测器，广泛应用于通信、传感和成像等领域。

产品展示

产品参数

产品特性

APD外延片衬底主要特性

1. 材料选择：常用材料包括硅（Si）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等，具备优良的光电性能。

2. 厚度与均匀性：外延片的厚度和均匀性直接影响APD的性能，通常需要高精度的控制。

3. 晶体质量：高质量的晶体结构可减少缺陷，提高光电探测效率。

4. 电学特性：具备良好的导电性，适合构建电场以增强雪崩效应。

APD光探测器主要特性

1. 高灵敏度：能够检测到非常微弱的光信号，适合低光环境。

2. 增益特性：通过雪崩效应实现高增益，通常增益可达到100至1000倍。

3. 快速响应时间：响应速度快，适合高速数据传输。

4. 宽波长范围：可以设计以探测不同波长的光，通常在可见光到近红外范围。

产品应用

APD外延片衬底应用途径：

半导体器件制造：作为APD及其他光电器件的基础材料。
光通信：在高速光纤通信系统中用作光电转换的基材。
传感器：用于制造高灵敏度的光传感器。

APD光探测器应用途径：

光纤通信：在长距离通信中用于接收和放大信号。
激光雷达（LiDAR）：用于环境感知、自动驾驶和测距应用。
医疗成像：在医学成像设备中探测光信号，如CT扫描和光学相干断层成像（OCT）。
安防监控：在夜视和红外监控系统中用于探测弱光信号。