砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

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InGaAs外延片衬底 PD Array光电探测器阵列 可用于激光雷达

产品材质:InGaAs
产品型号/尺寸:InGaAs外延片衬底 PD Array光电探测器阵列
最小起订量:10片
参考价格:¥7777
关注度:9
产品详情

产品描述

InGaAs外延片衬底 PD Array光电探测器阵列 可用于激光雷达 

可定制尺寸

 

产品摘要

 

PD Array(光电探测器阵列)是一种由多个光电探测器组成的阵列,能够同时检测多个光信号。由 MOCVD 生长而成的外延片主要应用于光侦测二极管,吸收层由 U-InGaAs构成,背景掺杂<5E14,扩散的 Zn 可由客户或Epihouse完成。外延片通过PL、XRD和ECV 测量进行分析。

 

 

产品展示



 

产品参数

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产品特性

 

高灵敏度:PD Array通常具有较高的光敏感度,能够在低光照环境下有效工作。

快速响应:由于多个探测器并行工作,响应速度快,适合动态光信号的检测。

  

空间分辨率:由于由多个探测器组成,能够提供高空间分辨率,适合成像应用。

多波长检测:不同类型的光电探测器可以组合,支持不同波长范围的光信号检测。

集成化设计:常常与其他电子元件集成在一起,便于系统的紧凑设计和优化。

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产品应用

 

成像系统:在相机、红外成像和光谱成像等应用中,用于捕获图像信息。

光谱分析:在光谱仪中用于同时检测不同波长的光信号,进行光谱分析。

激光雷达:在激光雷达系统中,用于接收反射的激光信号,进行距离测量和环境感知。

医疗成像:在医疗成像设备中(如CT、MRI等),用于检测和成像。

传感器网络:在环境监测和气体检测中,能够同时监测多个参数。

工业自动化:用于机器视觉系统,监控生产线上的物体状态和质量。

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