砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

GaAs 808 功率激光器 GaAs大功率外延芯片 波长808nm 光纤激光器 

可定制尺寸

产品摘要

GaAs 808 功率激光器和 GaAs 大功率外延芯片是基于砷化镓（GaAs）材料制造的激光器，广泛应用于多个领域。MOCVD 生长外延片主要应用于高功率激光二极管，采用InGaAs量子阱作为有源层，通过 PL、XRD、ECV等测试方法对外延片进行了分析。GaAs 808 功率激光器和 GaAs 大功率外延芯片凭借其高效率、大功率输出和良好的热性能，广泛应用于医疗、工业、科研等多个领域，具有重要的市场价值和技术潜力。

产品展示

产品参数

产品特性

波长：GaAs 808 激光器通常工作在808 nm波长，适合许多应用，包括生物医学。

高效率：具有较高的光电转化效率，能够有效地将电能转化为激光输出。

大功率输出：能够实现高功率输出，适用于需要强光源的应用场景。

良好的热性能：GaAs材料具有良好的热导率，帮助降低激光器工作温度，提高稳定性。

宽调谐性：可以通过改变驱动电流调节输出功率，适应不同的应用需求。

产品应用

激光医疗：在医疗设备中用于激光治疗、光动力治疗及美容应用。

激光打标：用于金属、塑料和其他材料的激光打标和雕刻。

光纤激光器：作为光源用于光纤激光器系统，增强输出功率。

激光焊接：在工业领域中用于激光焊接，提供高精度和高效率的焊接解决方案。

材料加工：用于切割、打孔和表面处理等材料加工工艺。

科学研究：在激光实验和研究中广泛应用，提供可靠的激光源。