砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

InP磷化铟外延片 单晶衬底 P级 R级 D级 2寸 3寸 4 寸 N型 P型 

可定制尺寸形状

产品摘要

磷化铟（InP）外延片是一种重要的半导体材料。InP 的电子迁移率高，适用于高频、高速电子器件。具有较大的直接带隙（约1.34 eV），适合光电应用，如激光器和光探测器。在红外光谱范围内表现良好，能够有效发射和检测红外光。在高温下表现良好，适合高温应用环境。外延生长技术可以实现高质量的单晶结构，减少缺陷。磷化铟外延片因其独特的物理特性和广泛的应用前景，成为半导体行业的重要材料之一。

产品展示

产品参数

产品特性

高电子迁移率：InP 的电子迁移率高，适用于高频、高速电子器件。

直接带隙半导体：具有较大的直接带隙（约1.34 eV），适合光电应用，如激光器和光探测器。

宽波长范围：在红外光谱范围内表现良好，能够有效发射和检测红外光。

优良的热稳定性：在高温下表现良好，适合高温应用环境。

良好的晶体质量：外延生长技术可以实现高质量的单晶结构，减少缺陷。

产品应用

光通信：InP 外延片广泛用于光纤通信中的激光器和光接收器。

光电探测器：在红外探测器和高灵敏度光电探测器中使用。

高频电子器件：用于制造高速场效应晶体管（HEMT）和功率放大器。

量子点和量子井技术：用于量子计算和量子通信等新兴技术。

传感器：在环境监测和生物传感器中具有应用潜力。

集成电路：在光电集成电路（PIC）中，结合光学和电子元件，提高系统性能。