砷化镓/氮化镓/InP/ZnSe等

产品描述

FP外延片 应用于FP边发射激光器二极管 2寸/3寸 用于10G 1310nm 

支持定制尺寸

产品摘要

通过 MOCVD 生长出的外延片主要应用于10G 1310nm FP 激光器二极管，其有源层由 InGaAIAs四元多量子阱(MQWs)构成。通常，量子阱和势垒被设计为应变势垒，以实现器件的高性能。通过 PL、XRD 和 ECV测试对外延片进行了分析。

产品展示

产品参数

产品特性

结构简单：FP激光器由两个反射镜构成的光腔，通常是半导体材料的外延结构。

波长可调：通过改变材料的成分或调节外部条件（如温度和电流），可以实现波长的调节。

高效率：相对于其他类型的激光器，FP激光器通常具有较高的光电转换效率。

小型化：FP激光器体积小、重量轻，适合集成到各种设备中。

相对低的输出功率：通常输出功率较低，适合特定应用。

产品应用

光通信：广泛用于光纤通信系统中，作为信号源。

激光打印：用于激光打印机中，实现高质量的打印效果。

光学传感器：在各种传感器中作为光源，例如气体传感器和温度传感器。

医疗设备：用于医疗成像和治疗设备，如激光手术。

消费电子：在光盘驱动器（如CD、DVD、蓝光）中用作读取和写入激光器。

科学研究：用于物理和生物实验中的光源。